[ 컴퓨터구조 ] 5.6.2 DDR SDRAM

기억장치 랭크(memory rank)

▣ 기억장치 랭크

▪ 데이터 입출력 폭이 64비트가 되도록 구성한 기억장치 모듈 (다수의 기억장치 칩들로 구성)

▪ 기억장치 산업표준그룹(memory industry standard group)인 JEDEC에 의해 정의됨

x4 혹은 x8 조직의 칩들을 여러 개 사용하여 데이터 입출력 폭이 64비트가 되도록 함 

[예] x4 조직의 SDRAM 사용➔16개를 병렬접속

x8 조직의 SDRAM 사용➔8개를 병렬접속 

[예] x4 조직의 SDRAM 사용➔16개를 병렬접속

x8 조직의 SDRAM 사용➔8개를 병렬접속

 

▪ 기억장치 모듈은 주 기판(main board)의 기억장치 슬롯(memory slot) 에 장착

▪ 단면 모듈(single-side module): 기판의 한 면에만 칩들을 장착하며, 접속 핀(connection pin)들도 한 면에만 설치하거나 양면에 중복적으 로 설치 – SIMM(single in-line memory module)이라고도 부름

▪ 양면 모듈(double-side module): 기판의 양 면에 칩들을 장착하며, 접 속 핀들도 양면에 설치하여 많은 신호 입출력 가능 – DIMM(double in-line memory module)이라고도 부름

 

▣ 단일-랭크 모듈(single-rank module)

▪ 단면 모듈(SIMM) 상에 x8 조직의 SDRAM 8개를 병렬접속 하여 하나 의 랭크를 구성함으로써, 64비트 데이터가 한 번에 버스를 통하여 전 송되도록 구성한 기억장치 모듈

▪ 각 SDRAM 칩의 용량이 2Gbit(즉, 256M x 8비트)라면, SIMM의 전체 용량 = 256Myte x 8개 = 2GByte

 

▣ 2중-랭크 모듈(dual-rank module)
▪ 양면 모듈(DIMM)에서, x8 조직의 SDRAM들을 각 면에 8개씩 병렬 접속 하여 두 개의 랭크를 구성한 기억장치 모듈

▪ 각 SDRAM 칩의 용량이 2Gbit(즉, 256M x 8비트)라면, DIMM의 전체 용량 = 256Myte x 8개 x 2면 = 4GByte

 

▣ x4 조직의 SDRAM들을 사용하는 경우
▪ 16개를 병렬접속 하여 양면 모듈(DIMM)에 하나의 랭크를 구성

▪읽기 동작 시, 주소가 인가되면 각 칩에서 4비트씩 인출되어 전 체적으로 64비트가 데이터 버스로 전송

▪ 각 SDRAM 칩의 용량이 2Gbit(즉, 512M x 4비트)라면, DIMM의 전체 용량 = (512M x 4) x 16개 = 4GByte

 

▣ 4중-랭크 모듈(quad-rank module) 

▪ x16 조직의 SDRAM 칩들을 사용

▪ 면당 두 랭크씩으로 구성
▪ 용량은 앞의 조직들과 동일

▣ 높은 신뢰도가 요구되는 서버 및 슈퍼컴퓨터의 경우,

▪데이터 8비트당 한 비트씩의 오류검출코드(error correction code: ECC) 추가
➔각 랭크의 입출력 데이터 폭 : (64 + 8) = 72비트

➔ 면당 9개의 칩들을 장착 각 SDRAM 칩의 용량이 2Gbit(즉, 256M x 8비트)라면, DIMM의 전체 용량 = 256Myte x 8개 x 2면 = 4GByte