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[ 컴퓨터구조 ]5.7 차세대 비휘발성 기억장치

차세대 비휘발성 기억장치 ▣ PRAM, FRAM, MRAM ▪ 비휘발성(nonvolatile) ▪ 플래시 메모리에 비하여 액세스 속도가 1000배 가량 높음 ▪ DRAM보다 느리지만, 집적도는 비슷하며, 전력 소모가 더 낮음 PRAM ▣ PRAM(Phase-change RAM) ▪ 상태(phase)가 변하는 특수 물질을 이용하여 제조한 RAM ▪ 물질: 게르마늄 안티몬 텔룰라이드(GST) ▪ 인가되는 전압의 높이에 따라 내부 구조가 변하여 저항이 낮은 고체 상태 혹 은 저항이 높은 액체 상태가 됨 ➢고체 상태: 결정 상태(polycrystalline phase) ➢액체 상태: 비정질 상태(amorphous phase) ▪ 기억 셀(memory cell): 두 개의 전극 사이에 특수 물질(GST)을 삽입 ..
IT/컴퓨터구조 2023. 2. 15. 15:38
[ 컴퓨터구조 ] 5.3 반도체 기억장치

RAM (random access memory) ▣ 자기 코어 기억장치 ▪ 초기 컴퓨터에서 많이 사용됨 ▪ 미세 전자공학의 발전과 더불어 자키 코어 기억장치가 사라짐 ▪ 최근에는 거의 모든 컴퓨터시스템에서 주기억장치 소자로서 반도체 기억장치 칩들이 사용되고 있음 ▣ RAM 특성 ▪ RAM = 반도체 기억장치 ▪ 임의 액세스 방식 ▪ 반도체 집적회로 기억장치(semiconductor IC memory) ▪ 데이터 읽기와 쓰기가 모두 가능 ▪ 휘발성(volatile) : 전원 공급이 중단되면 내용이 지워짐 1K x 8비트 RAM 칩과 제어 신호들 제조기술에 따른 분류 ▣ DRAM (Dynamic RAM) ▪ 캐패시터(capacitor)에 전하(charge)를 충전하는 방식으로 데이터를 저장하는 기억 소자들(..
IT/컴퓨터구조 2023. 2. 6. 23:45
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