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[ 컴퓨터구조 ]5.7 차세대 비휘발성 기억장치

차세대 비휘발성 기억장치 ▣ PRAM, FRAM, MRAM ▪ 비휘발성(nonvolatile) ▪ 플래시 메모리에 비하여 액세스 속도가 1000배 가량 높음 ▪ DRAM보다 느리지만, 집적도는 비슷하며, 전력 소모가 더 낮음 PRAM ▣ PRAM(Phase-change RAM) ▪ 상태(phase)가 변하는 특수 물질을 이용하여 제조한 RAM ▪ 물질: 게르마늄 안티몬 텔룰라이드(GST) ▪ 인가되는 전압의 높이에 따라 내부 구조가 변하여 저항이 낮은 고체 상태 혹 은 저항이 높은 액체 상태가 됨 ➢고체 상태: 결정 상태(polycrystalline phase) ➢액체 상태: 비정질 상태(amorphous phase) ▪ 기억 셀(memory cell): 두 개의 전극 사이에 특수 물질(GST)을 삽입 ..
IT/컴퓨터구조 2023. 2. 15. 15:38
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